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美光HBM3E再下一城 成功打入AMD MI3150系列晶片供應鏈

美光HBM3E再下一城 成功打入AMD MI3150系列晶片供應鏈

【記者蕭文康/台北報導】美光科技繼日前宣布最新 HBM4已送樣多家客戶,打破海力士壟斷地位,現又宣布 HBM3E 12 層堆疊 36GB 記憶體整合至即將推出的 AMD Instinct™ MI350 系列解決方案中。此次合作突顯能源效率和效能在訓練大型 AI 模型、提供高傳輸量推論,以及處理複雜之高效能運算工作負載 (如資料處理和運算建模)方面的關鍵作用。此外,這也是美光在 HBM 產業領導地位的另一重大里程碑,展現美光穩健的執行力和強大的客戶關係。
分析|AI帶動HBM與SOCAMM需求升溫 3大記憶體廠競局轉變、地緣布局成關鍵

分析|AI帶動HBM與SOCAMM需求升溫 3大記憶體廠競局轉變、地緣布局成關鍵

【記者蕭文康/台北報導】隨AI應用快速成長,推升高頻寬記憶體(HBM)與新型記憶體模組需求,全球3大記憶體廠商間的競爭格局正出現顯著變化。DIGITIMES觀察,除了次世代HBM技術競爭升溫,未來更將擴展至小型壓縮附加記憶體模組(Small Outline Compression Attached Memory Module,SOCAMM)等新產品,地緣政治風險與政策變動也同步成為影響業者全球布局的關鍵因素。
美光宣布HBM4已送樣主要客戶 挑戰海力士壟斷地位 

美光宣布HBM4已送樣主要客戶 挑戰海力士壟斷地位 

【記者蕭文康/台北報導】繼海力士後,美光科技宣布已將其12層堆疊36GB HBM4送樣給多家主要客戶,代表美光在 AI 記憶體效能和能源效率方面的領導地位,主要依據其成熟的1β(1-beta)DRAM製程、備經驗證的12層先進封裝技術及功能強大的記憶體內建自我測試(MBIST)功能,美光HBM4為開發下一代AI平台的客戶和合作夥伴提供無縫整合的解決方案。美光 HBM4 預計將於2026年量產,以配合客戶下一代AI平台的擴產進度。
台積電下一世代A14製程技術亮相 預計2028年領先全球生產

台積電下一世代A14製程技術亮相 預計2028年領先全球生產

【記者蕭文康/台北報導】台積電(2330)今日(美國當地時間23日)舉辦2025年北美技術論壇,會中揭示其下一世代先進邏輯製程技術A14,其技術體現了台積電在其領先業界的2奈米 製程上的重大進展,此技術旨在透過提供更快的運算和更好的能源效率來推動AI轉型,有望透過增進裝置端AI功能來強化智慧型手機功能,使其更加智慧。A14製程技術計劃於2028年開始生產,截至目前開發進展順利,良率表現優於預期進度。
劉德音出任美光獨立董事違反競業條款? 台積電低調回應「沒有違反規定」

劉德音出任美光獨立董事違反競業條款? 台積電低調回應「沒有違反規定」

【記者蕭文康/台北報導】記憶體大廠美光宣布延攬台積電(2330)前董事長劉德音擔任獨立董事,引發市場關切是否有違反競業禁止條款,對此,台積電僅低調回應「沒有違反規定」,產業界人士也分析,美光是純記憶體公司,而台積電是純晶圓代工,雙方不是競爭對手,甚至在HBM方面關係密切,因此劉德音擔任美光獨董不僅不會違反規定,甚至有機會促進雙方更進一步的合作。
南亞科衝客製化記憶體拚明年上市 坦言中國大陸同業衝擊市場、以差異化因應

南亞科衝客製化記憶體拚明年上市 坦言中國大陸同業衝擊市場、以差異化因應

【記者蕭文康/台北導】南亞科技(2408)今舉行30周年茶會,總經理李培瑛針對未來營運展望表示,在新產品方面,除現有的1B新的製程的導入外,也會拓展AI邊緣運算的記憶體市場,跟下游的封測廠福懋科技共同建設3D IC跟多晶片堆疊的製造能力,同時投資了普丁科技,一起在開發高附加價值、高效能、低功耗以及客製化超高頻寬的記憶體,希望在2026年底以前推出。
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