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半導體新兵報到！博盛前3季獲利大增57% 12月底掛牌上櫃
【記者蕭文康／台北報導】又有半導體新兵即將掛牌上櫃！博盛半導體（7712）以功率場效電晶體（MOSFET）為核心產品，專注設計開發、應用服務與銷售，並透過先進技術和全球布局，成為功率半導體市場的重要參與者，公司從電力轉換到電動車，再到再生能源和伺服器，博盛的產品應用面相當廣泛。博盛今年前3季每股純益6.83元，年增57.01%，預計12月底前掛牌上櫃。
博盛的高質量MOSFET產品，全方位涵蓋低壓、中壓、高壓範疇，技術包括超結型（Super Junction）、平面型（Planar）、溝槽型(Trench)及屏蔽閘極溝槽式（SGT）等製程結構。
有別於其他同業，博盛在產品選擇上，專注於高階應用產品開發，如電動車與伺服器，成功建立差異化競爭優勢。而且，從創立之初即確立國際化策略，目前在全球24個國家設有銷售渠道，並與87家經銷商合作，服務北美、歐洲與亞洲市場；外銷收入佔比高達55.82%，而內銷則為44.18%。
博盛2024年前3季累計營收為10.64億元，年增5.32%、營業毛利3.8億元，年增34.44%，毛利率35.77%，稅後淨利2.01億元，年增64.38%，每股純益6.83元，年增57.01%。
博盛董事長孟祥集表示，博盛的低壓MOSFET廣泛應用於消費性電子與伺服器設備，而高壓MOSFET則專注於各式AC-DC電源系統、與再生能源，車用元件則覆蓋車燈、儀錶板、PD、車用空調與馬達驅動等領域。根據TrendForce數據，2022年全球分離式功率元件市場中，MOSFET約佔56.3%，市場份額最大，並在新興應用如AI伺服器、數據中心及基站的需求帶動下，持續成長。
博盛的ASEMM（應用特定增強模組）技術則進一步提升高頻率與高效率電源設計能力，透過無線封裝與銅柱製程實現低損耗與高穩定性，大幅改善傳統封裝的阻抗與感抗問題。特別是在中低壓MOSFET市場，博盛的SGT製程技術滲透率快速提升，已開發出第三代超低導通電阻（RSP）的SGT MOSFET，能效與成本匹敵歐美競爭對手。高壓產品則採用超結型製程技術，突破物理限制，實現更低的導通電阻與更高的耐壓性能。
同時，博盛致力於第三代半導體材料的開發。碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）作為高壓應用的主流技術，已被廣泛應用於電動車和再生能源領域。TrendForce報告指出，2022年SiC功率元件市場產值達16億美元，主要來自電動車（67.4%）與再生能源（13.1%），並預計至2026年市場規模將達53.3億美元，前景樂觀。
孟祥集進一步指出，公司近年積極布局車用市場，憑藉多年技術沉澱與經驗，已於2022年完成車規產品量產，並獲得AEC-Q101及ISO 9001/14001等國際認證。這些認證不僅是進入車用市場的關鍵門檻，更鞏固了博盛產品的可靠性與市場競爭力。截至目前，車用產品已佔博盛營收的10%，累積出貨超過1億顆且持續擴大車用產品應用中。
另外，他說，公司在日本與韓國已與多家車廠建立穩固供應鏈，並在美國、德國、新加坡等地設有辦公室，直接服務全球客戶。隨著電動車市場高速增長，功率半導體的重要性不斷提升；根據Morgan Stanley研究指出，全球電動車滲透率預計在2030年達到42.1%，功率元件如SiC與MOSFET在車用電池管理與三電系統中的應用將持續擴大。博盛也計劃在未來3年內進一步提升車規產品出貨量，隨著市場需求逐漸加大，公司營運前景樂觀。
