難怪撤換半導體負責人！三星HBM晶片驚傳「過熱」 未通過輝達測試
【于倩若／綜合外電】《路透》引述知情人士報導，由於散熱和功耗問題，三星電子最新的高頻寬記憶體（HBM）晶片，未通過輝達（Nvidia）用於其AI（人工智慧）處理器的測試。
知情人士透露，這些問題影響到三星的HBM3晶片（這款晶片是目前AI GPU最常用的第4代HBM標準），以及三星及其競爭對手正在推動今年上市的第5代HBM3E晶片。
報導指，這是三星未通過輝達測試的「原因」，首次被披露。
三星在給《路透》聲明中表示，HBM是一款客製化記憶體產品，需要「根據客戶需求進行優化流程」，並補充說，該公司正透過與客戶密切合作，來優化其產品。
三星拒對特定客戶發表評論。輝達也拒絕置評。
HBM重要性
HBM （high bandwidth memory）是DRAM（動態隨機存取記憶體）的其中一種標準，於2013年首次推出，其中晶片垂直堆疊以節省空間並降低功耗，有助處理複雜AI應用產生的大量資料。隨著生成式AI熱潮中，對複雜GPU需求激增，對HBM的需求也激增。
輝達佔據了全球AI應用GPU市場約8成，滿足輝達需求，被視為HBM製造商未來成長的關鍵，無論是聲譽還是獲利動能。
消息人士稱，自去年以來，三星一直在努力通過輝達對HBM3和HBM3E的測試，最近對三星8層和12層HBM3E晶片的測試結果顯示「未通過」，是在4月份公布。
目前尚不清楚這些問題可否輕易解決，但消息人士表示，未能滿足輝達要求，加劇業界和投資人擔憂，他們擔心三星在HBM可能進一步落後給對手SK海力士和美光（Micron）。
與三星相比，其國內對手SK海力士是輝達HBM晶片主要供應商，自2022年6月以來，一直供應HBM3，據消息人士稱，就是出貨量給輝達。
美光是另一家HBM主要製造商，也已表示將為輝達提供HBM3E。
分析師表示，三星本周更換了半導體部門負責人，此舉似乎凸顯三星對其在HBM中落後地位的擔憂。當時三星表示，需要一位新的領導人，來應對影響該行業的「危機」。
