三星挑戰台積電、SK海力士聯盟 傳採4奈米生產HBM4晶片
【財經中心／台北報導】三星在HBM（高頻寬記憶體晶片）急起直追，從HBM3E晶片的10奈米製程，直接跳到4奈米製程，企圖在第六代高頻寬記憶體晶片（HBM4）超越SK海力士與台積電，奪回主導地位。
三星將採用4奈米生產HBM4晶片邏輯裸晶
根據韓國經濟日報引述消息人士的話指出，三星將採用4奈米製程生產HBM4晶片邏輯裸晶，超出業界預期的7~8奈米製程。
儘管4奈米製程成本比7~8奈米製程高得多，但在效能和功耗方面擁有巨大優勢。三星4奈米製程的良率已超過70%，並應用於三星Galaxy S24旗艦手機的Exynos 2400處理器。
財聯社報導，隨著AI熱潮，以輝達為首的GPU廠商對HBM的需求不斷成長，HBM由數個DRAM顆粒和邏輯裸晶垂直堆疊組成，而邏輯裸晶位於底部，負責控制DRAM，是HBM的核心元件。
SK海力士因此與台積電組成「HBM4聯盟」
在第五代HBM3E及之前，邏輯裸晶均由記憶體廠商生產。不過，為了滿足客戶客製化需求，從HBM4開始，需要經過代工流程。SK海力士因此與台積電組成「HBM4聯盟」。
與SK海力士不同，三星擁有自己的晶圓代工廠，三星已將晶圓代工部門員工派往HBM開發團隊。 AI相關運算需要消耗大量電力，更高的效能和更低功耗成為市場關注重點。三星透過記憶體部門和代工部門緊密合作，從邏輯裸晶的設計階段尋求最佳化，以最大限度地提高HBM4晶片的性能和功耗水平。
不過，三星HBM尚未通過輝達的合格測試。根據電子時報報導，三星HBM3E可望於第3季獲得認證出貨，待相關程序完成後，將可量產供貨。
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SK海力士試圖成為輝達矽中介層供應商
身為輝達HBM3和HBM3E主要供應商的SK海力士，在今年4月就與台積電簽署備忘錄，合作生產HBM4，提升邏輯裸晶性能，並整合CoWoS技術。
當時有業界人士預期，SK海力士的邏輯裸晶可望採用台積電7奈米製程，日前也有消息稱，SK海力士將採用台積電5奈米製程來生產HBM4邏輯裸晶，並聘請經驗豐富的邏輯設計工程師以提高HBM4的性能。
為了與輝達鞏固HBM同盟，SK海力士正試圖成為輝達矽中介層供應商。根據韓國媒體Money Today報導，SK海力士已向全球第2大封測廠Amkor協商供應矽中介層樣品。SK海力士將自己生產的HBM和矽中介層等交給Amkor，由Amkor將它們與輝達等客戶的GPU組裝成AI加速器。
