應用材料研發新一代電子束　檢測奈米級晶片缺陷快3倍

【記者蕭文康／台北導】應用材料宣布推出新的缺陷複檢系統，幫助領先的半導體製造商持續突破晶片微縮的極限。應材的SEMVision™ H20系統將業界最靈敏的電子束(eBeam)技術結合先進的AI影像辨識，能夠更精確、迅速地分析埋藏在世界上最先進晶片裡的奈米級缺陷。其中，新型SEMVision H20系統運用兩項重大創新，能以極高的精確度分類缺陷，並提供結果的速度比現今最先進技術快3倍。

利用AI與創新電子束技術解析晶圓缺陷

應用材料指出，電子束成像長期以來一直是重要的檢測工具，可看到光學技術無法看到的微小缺陷。其具備的超高解析度能在數十億組奈米級電路圖形中分析最微小的缺陷。傳統上會使用光學技術掃描晶圓以檢測潛在缺陷，隨後使用電子束對這些缺陷作更進一步的特徵分析。隨著「埃米時代」的到來，最小晶片的厚度可能只有幾個原子厚，讓辨識真正缺陷和誤報變得越來越困難。

在現今最先進的節點上，光學檢測會生成更密集的缺陷分布圖，這可能需要交付比原本數量多100倍的疑似缺陷，讓電子束檢測。製程控制工程師越來越需要能夠在保持大量生產所需速度和靈敏度的同時，可分析急劇增加樣本的缺陷檢測系統。

應用材料影像與製程控制事業群副總裁基思．威爾斯（Keith Wells）表示，應用材料的新型SEMVision H20系統使世界領先的晶片製造商在檢測工具提供的海量數據中，從雜訊中分離出有用的訊號。應用材料的系統結合先進的AI演算法與創新電子束技術的卓越速度及解析度，能迅速辨識深藏在3D裝置結構中的最小缺陷，提供更快速、更準確的檢測結果，進而改善晶圓廠的生產週期和良率。

可應用於2奈米或更先進製程、檢測速度快3倍

應材的新型電子束技術對於製造2nm節點及更先進邏輯晶片所需的複雜3D結構變化至為關鍵，包括新型環繞式閘極電晶體以及高密度DRAM及3D NAND記憶體的形成。應材的 SEMVision H20缺陷複檢系統已被領先的邏輯及記憶體晶片製造商採用，並應用於新興技術節點。

新型SEMVision H20系統運用兩項重大創新，能以極高的精確度分類缺陷，並提供結果的速度比現今最先進技術快3倍。

「冷場發射」技術實現次奈米解析度以識別最微小的深層缺陷

新一代CFE技術：應材的「冷場發射」技術是電子束成像領域的突破，實現次奈米解析度以識別最微小的深層缺陷。在常溫下運作，CFE能產生更窄的電子束並容納更多電子，因此相較於傳統熱場發射（thermal field emission, TFE）技術，CFE技術的奈米級影像解析度提高多達50%，成像速度快了高達10倍。隨著SEMVision H20的推出，應材引入第二代CFE技術，在維持業界最高靈敏度和解析度的同時，提供更快的處理速度。更快的成像速度可增加晶圓上的檢測覆蓋範圍，讓晶片製造商能以三分之一的時間，收集相同的資訊量。

深度學習AI影像模型：SEMVision H20使用深度學習AI技術，能夠自動從誤報的缺陷中擷取出真實缺陷。應材的專有深度學習網絡不斷從晶圓廠的數據中進行訓練，並將缺陷分類為空隙、殘留物、刮痕、微粒及數十種其他缺陷類型分佈，實現更準確、有效率的缺陷表徵。

應材的SEMVision產品系列是全球最先進、應用最廣的電子束複檢系統。新型SEMVision H20結合新一代CFE技術和先進的AI模型，進一步擴展應材的領導地位，提供更快速、更準確的缺陷分析，幫助晶片製造商加速晶片開發，並更廣泛地運用電子束技術於大量製造中。

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