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鴻海研究院先進晶片突破AI伺服器關鍵技術 解決高溫性能衰退問題
【記者李宜儒／台北報導】鴻海（2317）旗下鴻海研究院半導體研究所最新兩項前瞻性研究成果再獲肯定，包括應用於AI伺服器的單晶片整合電路關鍵技術，以及AI伺服器所需的高效電源控制技術領域，同時獲得國際功率半導體頂級會議IEEE ISPSD 2025 《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》接受，並且於今年6月初在日本熊本市發表。
鴻海研究院半導體研究所郭浩中所長與蕭逸楷博士與陽明交通大學及中央大學合作，成功開發出基於半導體所自主研發的碳化矽製程，應用於AI伺服器的單晶片整合電路關鍵技術，克服傳統矽基電路在高溫（超過150°C）下效能衰減限制。
此外，研究團隊亦在AI伺服器所需的高效電源控制技術領域，開發出一款整合 Burst Mode 控制與 Soft-Start 功能的 LLC 諧振轉換器控制器，將可有效降低輕載功耗並提升系統啟動穩定性。
導入AI加速碳化矽技術開發 AI伺服器效能的LLC控制器技術
鴻海研究院在導入AI加速碳化矽技術開發，建立AI for Semiconductor的基礎後，進一步與陽明交通大學吳添立副教授、陳柏宏教授、國立中央大學杜長慶副教授展開跨校前瞻技術研究，結合鴻揚半導體碳化矽製程代工平台，成功開發出基於半導體所自主研發的碳化矽製程，可應用於極端環境的單晶片整合電路技術，以及可提升AI伺服器效能的LLC 控制器技術，實踐Semiconductor for AI的夢想。
自主開發碳化矽製程 成功克服傳統矽基電路高溫下效能衰退
鴻海表示，鴻海研究院自主開發的碳化矽製程，運用在單晶片整合電路設計上，開發基於碳化矽元件的單晶片整合電路技術，成功克服傳統矽基電路在高溫（超過150°C）下效能衰減的限制。相較於傳統電阻負載與二極體連接負載，該技術透過IGRL結構實現更高的線性度與更廣的輸出電壓範圍。
此設計不僅與現有碳化矽元件製程相容，無需額外製程步驟，更在高溫環境中實現精準的類比訊號處理，適用於極端環境下的感測與控制系統。這個單晶片整合電路技術的研究成果，實現高線性度、高頻寬與高溫穩定的優異性能，可在300°C 環境下穩定運作，克服傳統矽電路高溫限制。
吳添立教授表示：「這項技術充分利用了碳化矽的寬能隙與高熱導性優勢，為高溫環境下的類比電路設計開闢新路徑。」
郭浩中所長則指出：「此成果展現了鴻海研究院在半導體技術上的深厚實力，未來將持續深化產學合作，加速技術落地。」
未來，鴻海研究院將與吳教授展開更積極的合作，除上述研究成果外，近期與吳教授在第四代化合物半導體的學術成果也發表在今年的VLSI-TSA，並獲得相當廣泛的關注。
此外，在近期最夯的AI伺服器議題上，半導體所與陽明交通大學的陳柏宏教授研究團隊、中央大學的杜長慶教授研究團隊展開跨校合作，成功設計出整合 Burst Mode與Soft-Start功能的 LLC 控制器架構。在Burst Mode控制下，於輕載時可減少開關損耗，提升待機效率；於Soft-Start 可平滑啟動系統，避免大電流衝擊元件。並採用 ZCS（零電流切換）控制技術，減少EMI與能量損耗，展現集團在智慧電源控制領域創新能量。
鴻海表示，此次的跨校合作成果，不僅彰顯鴻海在高性能半導體領域的研發實力，也為集團在電動車、智慧製造與航太應用等領域的發展奠定堅實基礎。
