韓媒曝三星前2代3奈米製程良率僅6成、2成 半導體部門恐再換帥
【財經中心／台北報導】根據韓國媒體《時事周刊e》（Sisa Journal e）今天報導，三星電子第1、2 代3奈米製程（SF3E-3GAE與SF3-3GAP）目前良率分別為60%和20%左右，這水準未達高通、輝達等主要潛在客戶提出的70%要求，導致三星無法在最先進製程上與台積電競爭，進而影響三星尖端邏輯製程投資的獲利能力。
《時事周刊e》指出，身為一家某種意義上算是IDM（整合元件）廠商，三星DS（半導體事業暨裝置解決方案事業部 ）的三大業務記憶體、系統 LSI邏輯晶片設計、Foundry晶圓代工實際上環環相扣。
系統LSI 邏輯晶片設計的自家Exynos 處理器，如果能由三星的晶圓代工順利製造，將對外界證明其晶圓代工的技術水準，這會吸引外部客戶選擇三星邏輯代工+ HBM（高頻寬記憶體）+先進封裝的一站式解決方案（Turnkey solutions），也可帶動自家儲存業務部的先進HBM記憶體。
只是三星目前並未能實現這個良性循環，導致半導體業務整體處於危機狀態。韓媒認為三星DS部門將在集團年度管理階層調整中，將會再迎來高階主管大洗牌，3大業務的負責人都可能被更換。事實上，三星電子今年5月就無預警在年中更換DS部門負責人，由全永賢接替慶桂顯。
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