美光效能最強、延遲最低創新主記憶體正式送樣 一文看懂什麼是MRDIMM
【記者蕭文康／台北報導】美光科技近日宣佈其多重存取雙列直插式記憶體模組 （multiplexed rank dual inline memory module, MRDIMM）開始送樣，效能號稱更勝目前的矽晶穿孔型 (TSV) RDIMM，實現最高頻寬、最大容量、最低延遲，以及更高的每瓦效能，加速記憶體密集型如虛擬化多租戶、HPC 和 AI 資料中心等的工作負載，究竟什麼是MRDIMM？一文看懂MRDIMM特色及應用。
何謂MRDIMM？
MRDIMM是指 （multiplexed rank dual inline memory module, 多重存取雙列直插式記憶體模組），美光副總裁暨運算產品事業群總經理Praveen Vaidyanathan解說，MRDIMM可以更低的延遲提供業界迫切需要的高頻寬與大容量，有助在下一代伺服器平台上實現大規模AI推論和高效能運算（HPC）應用。而美光MRDIMM 系列的第一代產品與Intel® Xeon® 6處理器相容。
MRDIMM顯著降低每項任務的功耗，同時延續了與RDIMM相同的可靠性、可用性和可維護性功能與介面，為客戶提供靈活擴充效能的解決方案。由於美光與業界緊密合作，因此新產品不僅能夠無縫整合到現有伺服器基礎架構中，更可順暢銜接未來運算平台。
相較於RDIMM ，MRDIMM 具有3大優勢
MRDIMM 技術採用DDR5 的物理與電氣標準，帶來更先進的記憶體，每核心的頻寬與容量雙雙提升，為未來運算系統做好準備，更滿足資料中心工作負載日益成長的需求。
相較於RDIMM ，MRDIMM 具有3大優勢：1.記憶體有效頻寬提升多達 39%。2.匯流排效率提高15% 以上。3.延遲降低高達 40%。
MRDIMM支援從32GB到256GB的容量範圍；提供標準尺寸和加高尺寸（TFF）兩種規格，適用於1U和2U高效能伺服器。TFF模組採用先進散熱設計，在相同功率和氣流條件下，DRAM溫度可降低20°C之多，進而提升資料中心的冷卻效率，並優化記憶體密集型工作負載的系統總能耗。
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MRDIMM 2024年下半年開始大量出貨
美光的記憶體設計使用 32Gb DRAM 晶粒製程技術，只需花16Gb 晶粒製程128GB TFF MRDIMM的功耗即可享受256GB TFF MRDIMM的效能。在最高資料傳輸率下，256GB TFF MRDIMM 的效能較同容量的TSV RDIMM 提35%。採用 256GB TFF MRDIMM，資料中心可享受前所未有的整體擁有成本（TCO）優勢，大勝傳統TSV RDIMM。
美光 MRDIMM現已上市，並將於2024年下半年開始大量出貨。後續世代的MRDIMM將維持記憶體頻寬優勢，每通道頻寬較同代RDIMM提升多達45%。
